ASML High-NA EUV开启新纪元
ASML新一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机正式交付亚洲客户，标志着全球半导体制造装备进入新纪元。台积电和三星成为首批High-NA EUV光刻机用户，为2nm及以下制程的量产奠定了基础。
High-NA EUV技术优势
高数值孔径EUV光刻机将数值孔径从0.33提升至0.55，分辨率显著提升，能够以更少的曝光步骤实现更精细的图案化。单台High-NA EUV光刻机售价超过3.5亿欧元，是半导体制造装备中技术含量最高的设备。
台积电与三星的装备竞赛
台积电和三星在High-NA EUV光刻机的采购和应用上展开激烈竞争。台积电计划在2nm制程中广泛使用High-NA EUV技术，三星则计划在1.4nm制程中全面采用该技术。两大巨头的装备竞赛推动着全球半导体制造技术的持续进步。
中国半导体设备国产化进程
在国际先进光刻机进口受限的背景下，中国半导体设备国产化进程加速。上海微电子、中微公司、北方华创等本土设备企业在刻蚀、薄膜沉积、清洗等设备领域取得突破，逐步缩小与国际先进水平的差距。
